BS EN IEC 60269-4:2025 低压熔断器对半导体器件保护用熔断体的补充要求标准

标准号: BS EN IEC 60269-4:2025
发布: 2025年
发布单位: 英国标准学会
当前最新: BS EN IEC 60269-4:2025

引用标准: IEC 60269-1:2024 IEC 60269-2:2013 IEC 60269-2:2013/AMD1:2016 IEC 60269-2:2013/AMD2:2024 IEC 60417 IEC TR 60269-5:2014 IEC TR 60269-5:2014/AMD1:2020 ISO 3

本体: 信号装置

适用范围: IEC 60269-1适用以下补充要求。用于半导体器件保护的熔断器，如未另行说明，应符合IEC 60269-1的所有要求，并且还应符合以下列出的补充要求。这些补充要求适用于用于含有半导体器件设备中的熔断器，用于额定电压最高为1000 V AC或1500 V DC的电路。某些熔断器可使用更高的额定电压。注：此类熔断器通常称为“半导体熔断器”。这些补充要求的目的是规定半导体熔断器的特性，使其在尺寸相同的情况下可以被具有相同特性的其他熔断器替代。为此，本标准特别涉及以下内容：a）熔断器的以下特性：1）其额定值；2）其在正常使用情况下的温升；3）其功率损耗；4）其时间-电流特性；5）其分断能力；6）其截断电流特性及其I?t特性；7）其电弧电压特性；b）用于验证熔断器特性的型式试验；c）熔断器上的标识；d）技术数据的可获得性和呈现方式（见附录BB）。

术语	描述
半导体器件 semiconductor device	其基本特性由半导体内部载流子流动决定的器件。
半导体熔断器 semiconductor fuse-link	限流熔断器，能够在特定条件下断开任何在断开范围内的电流值。
信号装置 signalling device	熔断器的一部分，由撞针和辅助开关组成，用于向远程位置发出熔断器操作的信号。
电压源逆变器 voltage source inverter	一种电压稳定的逆变器，能够提供电流而输出电压几乎没有变化。
电压源逆变器熔断器 voltage source inverter fuse-link	限流熔断器，能够在规定条件下断开由电压源逆变器中直流链路电容放电提供的短路电流。

BS EN IEC 60269-4:2025
低压熔断器对半导体器件保护用熔断体的补充要求